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深圳市華科智源科技有限公司

檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄

浪涌測(cè)試儀

  • 這真不是您需要的產(chǎn)品？
  • 品　　牌：
  • 華科智源
  • 主要規(guī)格：
  • 用　　途：
  • igbt測(cè)試，mos，二三極管，晶體管測(cè)試
    • 華科智源-二極管浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，最大電流可達(dá)50kA; 品牌： 華科智源 名稱： 浪涌電流測(cè)試儀 型號(hào)： HUSTEC-IFSM-1200A 用途： 浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值 產(chǎn)品詳情 華科智源-二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。 半導(dǎo)體器件在工作時(shí)，有時(shí)要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同，為了檢測(cè)器件承受浪涌電流的能力，可產(chǎn)生一個(gè)大的浪涌電流施加于被測(cè)器件上，從而檢測(cè)被測(cè)器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。 華科智源浪涌電流試驗(yàn)儀的測(cè)試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。浪涌電流試驗(yàn)臺(tái)，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)： 1、該試驗(yàn)臺(tái)是一套大電流、高電壓的測(cè)試設(shè)備，對(duì)設(shè)備的電氣性能要求高。 2、該試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。 3、該試驗(yàn)臺(tái)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。 4、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成： a、浪涌測(cè)試單元 b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元 c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng) 二、技術(shù)條件 2.1 環(huán)境要求： 1、環(huán)境溫度：15—40℃ 2、相對(duì)濕度：存放濕度不大于80% 3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa 4、海拔高度：1000米以下 5、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波 6、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz 7、電源功率：小于1.5KW 8、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9 2.2主要技術(shù)指標(biāo)： 1、浪涌電流（ITSM/IFSM）測(cè)試范圍：30～1200A；選配3000A,8000A,20kA,50kA等 2、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3% 浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波； 3、 浪涌電流底寬：8.3和10ms；選配1ms,10us等 4、 測(cè)試頻率：?jiǎn)未危恢貜?fù) 5、 反向電壓（VRRM）測(cè)試范圍：200～2000V； 6、 反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V，精度±3%； 7、 反向電壓頻率：DC直流 8、 各種模塊均手動(dòng)連接，并以單管形式測(cè)試。 9、 采用計(jì)算機(jī)控制、采樣及顯示；

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