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檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄

場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

  • 這真不是您需要的產(chǎn)品?
  • 品  牌:
  • 華科智源
  • 主要規(guī)格:
  • 用  途:
  • 廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì),封裝測(cè)試,軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)等
    • 華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試,測(cè)試1200A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè),測(cè)試方便,測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試; 產(chǎn)品信息: 1、產(chǎn)品型號(hào)及名稱:IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 2、產(chǎn)品測(cè)試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容 3、VGE最高可達(dá)±100V;開(kāi)啟電壓VGETH支持兩種測(cè)試方法; 4、采用插槽式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),便于升級(jí)和維護(hù); 5、設(shè)備支持SI基,SIC材料的MOS管,IGBT單管及模塊,二極管測(cè)試,晶閘管測(cè)試, 6、自動(dòng)進(jìn)行分檔測(cè)試,既覆蓋大功率特征下的測(cè)試范圍,又可保證小功率器件測(cè)試精度 7、支持單點(diǎn)測(cè)試,I-V曲線掃描,還具有曲線對(duì)比功能; 8、測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件,WORD報(bào)告 9、安全性,防爆,防觸電,防燙傷,短路保護(hù)等多重保護(hù)措施,確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全。 測(cè)試參數(shù): ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用 基礎(chǔ)能力: 1) 測(cè)試電壓范圍:0-±5000V 2) 測(cè)試電流范圍:0-±1600A 3) 測(cè)試柵極電壓范圍:0-±100V 4) 電壓分辨率:0.1mV 5) 電流分辨率:0.1nA 測(cè)試種類及參數(shù): (1)Diode(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件) 靜態(tài)參數(shù):BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降; (2)MOSFET(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件) 靜態(tài)參數(shù):BVDSS/漏源極擊穿電壓,VGS(th)/柵極開(kāi)啟電壓,IDSS 漏源極漏電流、VF/二極管正向壓降;Rdson 內(nèi)阻 (3)IGBT單管及模塊(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件) 靜態(tài)參數(shù):BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開(kāi)啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降;VCESAT/飽和壓降,IGESR,IGESF 柵極漏電流

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