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深圳市華科智源科技有限公司

檢測認證人脈交流通訊錄

半導體器件測試儀

  • 這真不是您需要的產品?
  • 品  牌:
  • 華科智源
  • 主要規格:
  • 用  途:
  • 廣泛應用于器件設計,封裝測試,軌道交通,電動汽車 ,風力發電,變頻器,焊機等
    • HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測試儀 一:IGBT功率器件測試儀主要特點 華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發電,變頻器,焊機行業的IGBT來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試; IGBT功率器件測試儀測試參數: ICES 集電極-發射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發射極飽和電壓 ICON 通態電極電流 VGEON 通態柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。 二:華科智源IGBT功率器件測試儀應用范圍 A:IGBT單管及模塊, B:大功率場效應管(Mosfet) C:大功率二極管 D:標準低阻值電阻 E:軌道交通,風力發電,新能源汽車,變頻器,焊機等行業篩選以及在線故障檢測 三、華科智源IGBT功率器件測試儀特征: A:測量多種IGBT、MOS管 B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣; C:脈沖寬度 50uS~300uS D:Vce測量精度2mV E:Vce測量范圍>10V F:電腦圖形顯示界面 G:智能保護被測量器件 H:上位機攜帶數據庫功能 I:MOS IGBT內部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態參數 K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位) L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產品的曲線狀態,或者不同廠家同一規格參數的曲線對比; 序號 測試項目 描述 測量范圍 分辨率 精度 1 VF 二極管正向導通壓降 0~20V 1mV ±1%,±1mV 2 IF 二極管正向導通電流 0~1200A ≤200A時,0.1A ≤200A時,±1%±0.1A 3 >200A時,1A >200A時,±1% 4 Vces 集電極-發射極電壓 0~5000V 1V ±1%,±1V 5 Ic 通態集電極電流 0~1200A ≤200A時,0.1A ≤200A時,±1%±0.1A 6 >200A時,1A >200A時,±1% 7 Ices 集電極-發射極漏電流 0~50mA 1nA ±1%,±10μA 8 Vgeth 柵極-發射極閾值電壓 0~20V 1mV ±1%,±1mV 9 Vcesat 集電極-發射極飽和電壓 0~20V 1mV ±1%,±1mV 10 Igesf 正向柵極漏電流 0~10uA 1nA ±2%,±1nA 11 Igesr 反向柵極漏電流 12 Vges 柵極發射極電壓 0~40V 1mV ±1%,±1mV 測試參數: ICES 集電極-發射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發射極飽和電壓 ICON 通態電極電流 VGEON 通態柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 IGBT靜態參數測試儀整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用 1) 物理規格 設備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm; 質量:30kg 2) 環境要求 海拔高度:海拔不超過 1000m; 儲存環境:-20℃~50℃; 工作環境:15℃~40℃。 相對濕度:20%RH ~ 85%RH ; 大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。 防護:無較大灰塵,腐蝕性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害; 3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%; 電網頻率:50Hz±1Hz

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