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儀器類別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標(biāo):波長(zhǎng)范圍:345-2500nm;脈沖寬度:80-250fs;重復(fù)頻率:80MHZ;平均功率:690–1040nm范圍內(nèi)>2.5W?功能/應(yīng)用范圍:c?主要測(cè)試和研究領(lǐng)域:其他...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo):分辨率:1.0nm@15kV、1.9nm@1kV;離子束分辨率:2.5nm@30kV;加速電壓:0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應(yīng)用范圍:用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作,是...
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主要技術(shù)指標(biāo):系統(tǒng)的極限壓強(qiáng)可達(dá)≤5x10-8Torr;30分鐘從大氣壓抽到≤5x10-6Torr;坩堝的數(shù)目4個(gè),坩堝的容量不小于7cc;電子槍功率不小于5kW。 功能/應(yīng)用范圍:主要用于...
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主要技術(shù)指標(biāo):樣品尺寸:2,4,6英寸基片,兼容加工小片和碎片;有加熱和冷卻裝置;下電極溫度范圍-150°C…+400°C;刻蝕氣體8路:HBr,SF6,C4F8,CHF3,BCl3,O2,N2,Ar。...
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主要技術(shù)指標(biāo):該綜合物性測(cè)量系統(tǒng)主機(jī)PPMS-9能提供9特斯拉強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境;完全無液氦杜瓦系統(tǒng)P935A能提供極低溫實(shí)驗(yàn)環(huán)境(1.9-400K);選配的交直流磁學(xué)測(cè)量系統(tǒng)可測(cè)量材料的交流和直流磁化率、...
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超連續(xù)光纖激光器 (Supercontinuum fibre Lasers)
主要技術(shù)指標(biāo):該綜合物性測(cè)量系統(tǒng)主機(jī)PPMS-9能提供9特斯拉強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境;完全無液氦杜瓦系統(tǒng)P935A能提供極低溫實(shí)驗(yàn)環(huán)境(1.9-400K);選配的交直流磁學(xué)測(cè)量系統(tǒng)可測(cè)量材料的交流和直流磁化率、...
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主要技術(shù)指標(biāo):SHG:350-500nmTHG:240-320nm。相對(duì)于Mira900-D的轉(zhuǎn)換效率SHG>15%(700-900nm);>10(900-1000nm);THG4(700-900nm);2(900-1000nm).?功能/應(yīng)用范圍:針對(duì)飛秒型(M...
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主要技術(shù)指標(biāo):簡(jiǎn)單穩(wěn)定的KLM鎖模,易于使用,可靠性高棱鏡或GTI補(bǔ)償GVD,獲得類孤子、接近轉(zhuǎn)換極限的脈沖X-Wave寬帶腔鏡組,覆蓋700-1000nm的調(diào)諧范圍(包括飛秒、皮秒組件)采用VerdiV18泵浦...
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主要技術(shù)指標(biāo):真空度5×10-10torr樣品溫度室溫~1000CPLD靶數(shù)量6個(gè) 功能/應(yīng)用范圍:在高氣分下生長(zhǎng)高質(zhì)量的單晶薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域:其他...
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真空系統(tǒng) (Pulsed Laser Deposition)
主要技術(shù)指標(biāo):(1)每臺(tái)真空腔的極限本底真空<3 10-10Torr。(2)PLD腔需帶臭氧發(fā)生器;臭氧工作氣壓>1 10-3Torr;臭氧純度>13%;臭氧導(dǎo)引管需安裝在compactZstage,移動(dòng)范圍...
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主要技術(shù)指標(biāo):最大磁場(chǎng)15T,最低溫度300mK 功能/應(yīng)用范圍:低溫時(shí)測(cè)量樣品在磁場(chǎng)下電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì) 技術(shù)特色:垂直樣品的磁場(chǎng)能達(dá)到15T,測(cè)量噪聲低 ...
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主要技術(shù)指標(biāo):脈沖寬度:30-100fs;重復(fù)頻率:1kHz;調(diào)諧范圍:800-18000nm脈沖能量:1-1000uJ 功能/應(yīng)用范圍:光譜;超快動(dòng)力學(xué)研究 主要測(cè)試和研究領(lǐng)...
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型號(hào)規(guī)格:定制、非標(biāo)設(shè)計(jì) 所屬部門:物理學(xué)系 產(chǎn)地國(guó)別:中國(guó) 生產(chǎn)廠商:中國(guó)科學(xué)院沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司 存放地點(diǎn):先進(jìn)...
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主要技術(shù)指標(biāo):CCD:100*1340pixels,CCD效率:400nm到900nm有85%以上的量子效率反射光柵:150G/mm,300G/mm,1200G/mmwith500nmblaze,150G/mmwith800nmblaze,300G/mm,1200G/mmwi...
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主要技術(shù)指標(biāo):波長(zhǎng):1064nm;脈沖寬度:30ps;重復(fù)頻率:20Hz;脈沖能量35mJ 功能/應(yīng)用范圍:皮秒光譜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域:其他...
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主要技術(shù)指標(biāo):電子槍功率3kW,本底真空10E-9Torr,6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻),坩堝5*2.24cc 功能/應(yīng)用范圍:蒸鍍各種金屬薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域:電子/信息技...
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主要技術(shù)指標(biāo):測(cè)量模式:接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM;XY方向不小于90µm×90µm,Z方向不小于10...
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主要技術(shù)指標(biāo):波長(zhǎng)范圍:345-2500nm;脈沖寬度:80-250fs;重復(fù)頻率:80MHZ;平均功率:690–1040nm范圍內(nèi)>2.5W 功能/應(yīng)用范圍:線性和非線性光譜測(cè)試,超快動(dòng)力學(xué)研究。...
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主要技術(shù)指標(biāo):分辨率:1.0nm@15kV、1.9nm@1kV;離子束分辨率:2.5nm@30kV;加速電壓:0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應(yīng)用范圍:用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作,是...
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主要技術(shù)指標(biāo):樣品尺寸:2,4,6英寸基片,兼容加工小片和碎片;有加熱和冷卻裝置;下電極溫度范圍-150°C…+400°C;刻蝕氣體8路:HBr,SF6,C4F8,CHF3,BCl3,O2,N2,Ar。...
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