
- 您所在的位置:首頁
應用領域:
-
主要技術指標:JGP450 功能/應用范圍:基片上濺射各種薄膜制作樣品 主要測試和研究領域:其他
上海楊浦區
-
超高真空分子束外延生長和原位測量系統 (vacuum system for surface studies)
主要技術指標:真空度優于1*10-10torr 功能/應用范圍:超高真空生長磁性金屬超薄膜以及復雜氧化物薄膜 技術特色:能夠生長各種臺階樣品以及楔形...
上海楊浦區
-
單頻可調諧鈦寶石激光系統 (pulse dye laser)
主要技術指標:Verdi-V10:10W532nmMBR110EL:>1.5w700nm-1000nmMBD-20020mw-500mw350nm-500nm?功能/應用范圍:超高分辨率拉曼光譜;可調諧紫外光源;光致發光;原子誘捕和冷...
上海楊浦區
-
近場掃描光學顯微鏡 (Scan near-field optical microscopy)
主要技術指標:采用3DFlatscan掃描器,掃描范圍:XY方向70um、Z方向70um,另外有30um和10um掃描器選配,掃描步進:70um掃描器<1nm、10um掃描器<0.1nm,掃描器厚度7mm,重量75克;近場光學顯...
上海楊浦區
-
熒光光譜儀 (Fluorescence spectroscope)
主要技術指標:焦距320mm孔徑f/4.1光譜范圍150~1500nm,用1200條/mm光柵;光柵尺寸68mmx68mm支座上最多可裝光柵數3平場尺寸30mmx12mm分辨率(用出口狹縫和光電倍增管時)0.06nm波...
上海楊浦區
-
氧化物薄膜分子束外延設備 (oxide molecular beam exptaxy system)
主要技術指標:真空度10e-9mbar8個單質蒸發源單原子層精度控制氧化物薄膜生長襯底10X10mm 功能/應用范圍:小尺寸氧化物薄膜生長 技術特色:單原子層精度控制氧化...
上海楊浦區
-
掃描探針顯微鏡 (Scanning Probe Microscopy)
主要技術指標:掃描范圍:10μm×10μm橫向分辨率:~5nm(電學測量模式為10~20nm)CAFM電流分辨率<5pA 功能/應用范圍:功能包括:AFM,EFM,CAFM,SKM,SCM等...
上海楊浦區
-
主要技術指標:實時顯示數據結果,10秒鐘以內成像方式,脫離對傳統膠片等化學污染品的依賴,整個系統應具有多自由度調節,可以任意調整到需要的實驗位置。換樣時間小于5分鐘,方便迅速。...
上海楊浦區
-
超連續光纖激光器 (Supercontinuum fibre Lasers)
主要技術指標:參數值波長范圍460-2400nm最小功率密度>3mW/nm重復頻率(固定的)80MHz總電源脈沖寬度5ps總可見光功率(460-850nm)>1300mW總平均功率(460-1750nm)>4500mW輸出偏振去偏...
上海楊浦區
-
主要技術指標:Avg.ModelockedPower:>300mW Bandwidth:>70nm CentralWavelength(nominal):800nm RepetitionRate:80MHz PulseWidth:<20fs Internal...
上海楊浦區
-
主要技術指標:真空度5×10-10torr樣品溫度室溫~1000CPLD靶數量6個 功能/應用范圍:在高氣分下生長高質量的單晶薄膜 主要測試和研究領域:其他...
上海楊浦區
-
真空系統 (Pulsed Laser Deposition)
主要技術指標:(1)每臺真空腔的極限本底真空<3 10-10Torr。(2)PLD腔需帶臭氧發生器;臭氧工作氣壓>1 10-3Torr;臭氧純度>13%;臭氧導引管需安裝在compactZstage,移動范圍...
上海楊浦區
-
強磁場低溫系統 (Low temperature superconducting magnet system)
主要技術指標:最大磁場15T,最低溫度300mK 功能/應用范圍:低溫時測量樣品在磁場下電學輸運性質 技術特色:垂直樣品的磁場能達到15T,測量噪聲低 ...
上海楊浦區
-
主要技術指標:脈沖寬度:30-100fs;重復頻率:1kHz;調諧范圍:800-18000nm脈沖能量:1-1000uJ 功能/應用范圍:光譜;超快動力學研究 主要測試和研究領...
上海楊浦區
-
主要技術指標:磁控濺射靶位:4個 功能/應用范圍:利用磁控濺射生長金屬或氧化物薄膜 主要測試和研究領域:其他...
上海楊浦區
-
主要技術指標:CCD:100*1340pixels,CCD效率:400nm到900nm有85%以上的量子效率反射光柵:150G/mm,300G/mm,1200G/mmwith500nmblaze,150G/mmwith800nmblaze,300G/mm,1200G/mmwi...
上海楊浦區
-
主要技術指標:波長:1064nm;脈沖寬度:30ps;重復頻率:20Hz;脈沖能量35mJ 功能/應用范圍:皮秒光譜 主要測試和研究領域:其他...
上海楊浦區
-
電子束蒸發系統 (Thin Film Depostion System)
主要技術指標:電子槍功率3kW,本底真空10E-9Torr,6寸旋轉樣品托(可液氮冷卻),坩堝5*2.24cc 功能/應用范圍:蒸鍍各種金屬薄膜 主要測試和研究領域:電子/信...
上海楊浦區