主要技術指標:真空度優于1*10-10torr
功能/應用范圍:超高真空生長磁性金屬超薄膜以及復雜氧化物薄膜
技術特色:能夠生長各種臺階樣品以及楔形樣品,樣品厚度誤差可以控制在原子層級的尺度
主要測試和研究領域:電子/信息技術
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