檢測認證人脈交流通訊錄
泰思特3Ctest EDS 10IC元器件半導體靜電放電發生器
- 泰思特EDS 10IC元器件半導體靜電放電發生器3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發生器(EDS 10IC靜電放電發生器針對人體模型(HBM)和機械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗的特點和要求專門設計，可以對LED、晶體管、IC等半導體器件進行靜電抗擾度的測試。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相應標準的要求，同時完全滿足上述所有標準中嚴酷等級的靜電電壓要求。
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3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發生器(特點：
全新三代控制平臺 ，觸摸屏智能化控制。
自動識別阻容模塊，并調整大電壓。
低電壓5V，1V步進調節電壓
可完成單次或自動放電測試，可設置次數、頻率等參數。
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
ANSI /ESD-STM5.1 2007
MIL-STD-883G 28 Feb.2006
ANSI/JEDEC JS-001-2010
JEDEC JESD22- A115C Nov.2010
技術參數
HBM 短路電流參數
放電電容 100 pF
放電電阻 1500 Ω
峰值電流Ips 0.17 A +10% @250 V
0.33 A +10% @500 V
0.67 A +10% @1000 V
1.33 A +10% @2000 V
2.67 A +10% @4000 V
上升時間 2 ns~10 ns
脈沖寬度 150 ns + 20 ns
振鈴幅度 <15%峰值電流
HBM 500歐電阻電流參數
峰值電流Ipr 375 mA~550 mA @ 1000V
1.5 A~2.2 A @ 4000V
Ipr/Ips ≥ 63%
上升時間 5 ns~25 ns
MM短路電流參數
放電電容 200 pF
放電電阻 0 ?
峰值電流Ip1 0.44 A +20% @25 V
0.88 A +20% @50 V
1.75 A +10% @100 V
3.5 A +10% @200 V
7.0 A +10% @400 V
Ip2/Ip1 67%~90%
周期 66 ns~90 ns
MM 500歐電阻電流參數
峰值電流Ipr 0.85 A~1.2 A @ 400 V
100 ns電流值 I100 0.23 A~0.40 A @ 400 V
I200/I100 30%~55%
通用參數
輸出電壓 HBM 5 V~8000 V (5%+5V)
MM 5 V~1000V (5%+5V)
極性 正、負或正負交替
頻率 0.1 Hz~5 Hz
觸發次數 1~999次
觸發方式 自動，手動，外觸發
輸入電源 AC 100 V ~240 V ，+10%
50 Hz /60 Hz
環境溫度 15℃~35℃
儲藏溫度 -10℃~50℃
相對濕度 25%~75%
尺寸 450 mm x320 mm x190 mm(長x寬x高)
重量 約10 kg
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