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主要技術指標:真空度達1X10-6乇,襯底溫度可達100度直流濺射電源功率1000瓦 功能/應用范圍:有2個DC濺射靶,可以在真空狀態(tài)下濺射生成一類材料薄膜或多層不同薄膜,...
上海楊浦區(qū)
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主要技術指標:波長范圍190-1000nm,功能/應用范圍:測量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測試和研究領域:材料/珠寶首飾電子/信息技術收費標準:其它收費...
上海楊浦區(qū)
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主要技術指標:離子束:30kv分辨率7nm,加速電壓2-30kv。電子束:鎢燈絲電子槍 功能/應用范圍:材料微細加工及樣品制備。 主要測試和研究領域:材料/珠寶首飾電子/信息...
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主要技術指標:加速電壓0.5-30kv,15kv分辨率1.0nm?! 」δ?應用范圍:材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析?! ≈饕獪y試和研究領域:材料/珠寶首飾電子/信息...
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主要技術指標:分辨率125?! 」δ?應用范圍:鈹以上元素定性分析?! ≈饕獪y試和研究領域:材料/珠寶首飾電子/信息技術 收費標準:按樣品、小時數(shù)收費 儀...
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主要技術指標:真空度<1e-6mBar,薄膜淀積速率1~10nm/min 功能/應用范圍:離子束濺射,可用于金屬薄膜淀積和樣品物理刻蝕 主要測試和研究領域...
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主要技術指標:重復頻率1KHz,單脈沖能量600微焦耳,脈沖寬度50fs 功能/應用范圍:超快光譜學、非線性光學 主要測試和研究領域:電子/信息技術 收費標準:其它收...
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主要技術指標:8寸 功能/應用范圍:拋光硅片 主要測試和研究領域:電子/信息技術 收費標準:其它收費方式 ...
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主要技術指標:1.真空腔尺寸:Φ1100×12002.極限真空度:2×10-4Pa3.坩堝容積:2×1000ml3.電子槍功率:10kW 功能/應用范圍:可用于氧化物等薄...
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主要技術指標: *dc-4.1GHz頻率覆蓋,具有36MHz分析帶寬 *靈活的解調(diào),對許多標準制式的單鍵設置 *Agilent獨特的差錯分析特性,包括隨時間變化的EVM,隨時間變化的相...
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主要技術指標:1、Loadlock預抽真空;2、本底真空:2*10e-8Torr;3、基板加熱,0-400度;4、基板旋轉(zhuǎn)速度可調(diào),1-20rpm;5、三路氣體,可反應濺射;6、五個2英寸濺射槍,和一個3...
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主要技術指標:電流精度10fA電容高頻1MHz 功能/應用范圍:用于半導體器件的電學(IV、CV)特性測試 主要測試和研究領域:電子/信息技術 ...
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主要技術指標:AFM噪聲水平0.3,可對云母、石墨原子像成像控制器反饋相應時間:2s,采樣率50MHZ掃描范圍:0.4μm×0.4μm×0.4μm或10μm×10μm×2...
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主要技術指標:樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優(yōu)于1.210-6Pa,進樣室(loadlock)真空優(yōu)于6.710-4Pa淀積薄膜厚度均勻性優(yōu)于3%襯底可加熱,溫度最高可達800oC 功能/應用范...
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主要技術指標:極限真空:成膜室1.210-6Pa(loadlock)準備室6.710-4Pa樣品尺寸:4寸(1片/次)可通3路氣體:Ar、N2、O2(50sccm)??勺銎胀R射、共濺射和反應濺射,可對樣...
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主要技術指標:數(shù)字通道:16路P1000數(shù)字通道;128路C400e數(shù)字通道;80路C200e數(shù)字通道模擬通道:一塊AV8,含四路24bit音頻DAC/ADC模塊,四路14bit視頻DAC/ADC模塊一塊WGD,500MspsAW...
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主要技術指標:納米壓痕試驗縱向載荷力和位移可實現(xiàn)的最大載荷:10mN位移分辨率:0.0004nm可實現(xiàn)的最大位移:5μm2納米劃痕試驗橫向載荷力和位移可實現(xiàn)的最小橫向力:<5μN...
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主要技術指標:分辨率10X10納米Multimode8型 功能/應用范圍:納米材料表面形貌、納米薄膜粗糙度研究,納米材料粒徑測量、納米復合材料相組成研究及復合材料界面研究...
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主要技術指標:最大磁場15T,最低溫度300mK 功能/應用范圍:低溫時測量樣品在磁場下電學輸運性質(zhì) 技術特色:垂直樣品的磁場能達到15T,測量噪聲低 ...
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主要技術指標:電子槍功率3kW,本底真空10E-9Torr,6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻),坩堝5*2.24cc 功能/應用范圍:蒸鍍各種金屬薄膜 主要測試和研究領域:電子/信息技...
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