檢測認證人脈交流通訊錄

主要技術指標:樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優于1.210-6 Pa,進樣室(loadlock)真空優于6.710-4 Pa淀積薄膜厚度均勻性優于3%襯底可加熱,溫度最高可達800 oC
功能/應用范圍:采用LTS陰極,陰極(靶位)4個,配備3個直流電源和1個射頻電源,可進行直流磁控濺射和射頻濺射,可進行共濺射可通Ar、N2、O2等3路氣體,可進行反應濺射進樣室有射頻電源可對樣品進行預濺射清洗應用范圍包括超薄金屬層、金屬硅化物薄膜、高介電常數柵介質、金屬納米晶材料的淀積
技術特色:/
主要測試和研究領域:電子/信息技術
收費標準:其它收費方式儀器
負責人:徐賽生,陳潔
電話:55664846
電子郵件:lfzhang@fudan.edu.cn


