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主要技術指標:波長范圍190-1000nm,功能/應用范圍:測量薄膜折射率,消光系數和薄膜厚度主要測試和研究領域:材料/珠寶首飾電子/信息技術收費標準:其它收費...
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主要技術指標:離子束:30kv分辨率7nm,加速電壓2-30kv。電子束:鎢燈絲電子槍 功能/應用范圍:材料微細加工及樣品制備。 主要測試和研究領域:材料/珠寶首飾電子/信息...
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主要技術指標:加速電壓0.5-30kv,15kv分辨率1.0nm。 功能/應用范圍:材料及微電子、光電子器件微區形貌觀察及組份分析。 主要測試和研究領域:材料/珠寶首飾電子/信息...
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主要技術指標:分辨率125。 功能/應用范圍:鈹以上元素定性分析。 主要測試和研究領域:材料/珠寶首飾電子/信息技術 收費標準:按樣品、小時數收費 儀...
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主要技術指標:真空度<1e-6mBar,薄膜淀積速率1~10nm/min 功能/應用范圍:離子束濺射,可用于金屬薄膜淀積和樣品物理刻蝕 主要測試和研究領域...
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主要技術指標:高真空 功能/應用范圍:制備薄膜 主要測試和研究領域:其他 收費標準:按樣品、小時數收費 儀器負責人:金慶原 電話:65642059...
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主要技術指標:振蕩級:中心波長:800nm,脈沖寬度100fs,500mW,放大級:100fs,800mW,參量放大級:450-750nm 功能/應用范圍:主要用于雙光子熒光材料的激發 ...
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主要技術指標:背景真空:3*10-10mbar(原指標);5*10-11mbar(目前可達指標)。配備LEED/Auger,RHEED 功能/應用范圍:磁性超薄膜生長和性能測試 主要測...
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主要技術指標:振蕩級(Tsunami):波長720-850nm,脈寬100fs,重復頻率82MHz,功率達750mW。再生放大(Spitfire):1kHz/0.7W 功能/應用范圍:磁性材料動力學研究...
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主要技術指標:1)Chambersize:600*750*620mm2)Ultimatepressure:8.0*10-7mbar3)3*4"Magnetrons(2*DC&1*rf)4)Co-sputteringprocess5)targetdiameter:100mm...
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主要技術指標:重復頻率1KHz,單脈沖能量600微焦耳,脈沖寬度50fs 功能/應用范圍:超快光譜學、非線性光學 主要測試和研究領域:電子/信息技術 收費標準:其它收...
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主要技術指標:8寸 功能/應用范圍:拋光硅片 主要測試和研究領域:電子/信息技術 收費標準:其它收費方式 ...
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主要技術指標:橫向分辨率200-300nm,縱向500-700nm,工作深度約200um 功能/應用范圍:細胞熒光成像與微區光譜研究雙光子激發熒光成像 主要測試...
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主要技術指標:1.真空腔尺寸:Φ1100×12002.極限真空度:2×10-4Pa3.坩堝容積:2×1000ml3.電子槍功率:10kW 功能/應用范圍:可用于氧化物等薄...
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主要技術指標: *dc-4.1GHz頻率覆蓋,具有36MHz分析帶寬 *靈活的解調,對許多標準制式的單鍵設置 *Agilent獨特的差錯分析特性,包括隨時間變化的EVM,隨時間變化的相...
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主要技術指標:1、Loadlock預抽真空;2、本底真空:2*10e-8Torr;3、基板加熱,0-400度;4、基板旋轉速度可調,1-20rpm;5、三路氣體,可反應濺射;6、五個2英寸濺射槍,和一個3...
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主要技術指標:電流精度10fA電容高頻1MHz 功能/應用范圍:用于半導體器件的電學(IV、CV)特性測試 主要測試和研究領域:電子/信息技術 ...
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主要技術指標:AFM噪聲水平0.3,可對云母、石墨原子像成像控制器反饋相應時間:2s,采樣率50MHZ掃描范圍:0.4μm×0.4μm×0.4μm或10μm×10μm×2...
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主要技術指標:樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優于1.210-6Pa,進樣室(loadlock)真空優于6.710-4Pa淀積薄膜厚度均勻性優于3%襯底可加熱,溫度最高可達800oC 功能/應用范...
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主要技術指標:極限真空:成膜室1.210-6Pa(loadlock)準備室6.710-4Pa樣品尺寸:4寸(1片/次)可通3路氣體:Ar、N2、O2(50sccm)。可做普通濺射、共濺射和反應濺射,可對樣...
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