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應用領域:
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主要技術指標：1、氣流模式70%循環30%外排2、下降氣流流速0.35m/s3、流入氣流流速0.53m/s4、人員保護通過嚴格的KI-DISCUS法人員保護測試5、產品保護5-8×108CFU/ml連續3次...
上海徐匯區
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主要技術指標：獲取速度能力：100,000細胞/秒分選速度能力：＞70,000細胞/秒分選純度：＞99%(任何速度下)分選通路4路，可0.2–50ml離心管接收克隆分選6–1538微孔板，玻...
上海徐匯區
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主要技術指標：1.脈寬小于100fs，而峰值能量不小于450kW(在800nm)。2.波長的可調諧范圍要盡可能的寬，在690-1040nm之間。3.功率大于2.5W 功能/應用范圍：雙光子激光成...
上海楊浦區
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主要技術指標：真空度達1X10-6乇，襯底溫度可達100度直流濺射電源功率1000瓦 功能/應用范圍：有2個DC濺射靶，可以在真空狀態下濺射生成一類材料薄膜或多層不同薄膜，...
上海楊浦區
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主要技術指標：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍 功能/應用范圍：材料微細加工及樣品制備?！ ≈饕獪y試和研究領域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區
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主要技術指標：真空度<1e-6mBar，薄膜淀積速率1~10nm/min 功能/應用范圍：離子束濺射，可用于金屬薄膜淀積和樣品物理刻蝕 主要測試和研究領域...
上海楊浦區
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主要技術指標：背景真空：3*10-10mbar(原指標)；5*10-11mbar(目前可達指標)。配備LEED/Auger,RHEED 功能/應用范圍：磁性超薄膜生長和性能測試 主要測...
上海楊浦區
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主要技術指標：振蕩級(Tsunami)：波長720-850nm,脈寬100fs，重復頻率82MHz，功率達750mW。再生放大(Spitfire)：1kHz/0.7W 功能/應用范圍：磁性材料動力學研究...
上海楊浦區
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主要技術指標：1)Chambersize:600*750*620mm2)Ultimatepressure:8.0*10-7mbar3)3*4"Magnetrons(2*DC&1*rf)4)Co-sputteringprocess5)targetdiameter:100mm...
上海楊浦區
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主要技術指標：重復頻率1KHz,單脈沖能量600微焦耳，脈沖寬度50fs 功能/應用范圍：超快光譜學、非線性光學 主要測試和研究領域：電子/信息技術 收費標準：其它收...
上海楊浦區
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主要技術指標：樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優于1.210-6Pa，進樣室(loadlock)真空優于6.710-4Pa淀積薄膜厚度均勻性優于3%襯底可加熱，溫度最高可達800oC 功能/應用范...
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主要技術指標：極限真空：成膜室1.210-6Pa(loadlock)準備室6.710-4Pa樣品尺寸：4寸(1片/次)可通3路氣體：Ar、N2、O2(50sccm)。可做普通濺射、共濺射和反應濺射，可對樣...
上海楊浦區
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主要技術指標：X射線發生器最大管壓：60kV，最大管流：60mA，陶瓷X光管最大功率：2.2kW(Cu靶)，最大管壓：60kV，最大管流：55mA 功能/應用范圍：材料結構相關多方面的...
上海楊浦區
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主要技術指標：溫度范圍：-90C～550C；準確度：±0.1C；精確度：±0.01C；升溫速率：0.01～550C/min；最大程序降溫速率：高溫降至170C速率為100C/min，低溫降至-80C速率為300C/min；量熱靈敏度0...
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主要技術指標：SHG：350-500nmTHG：240-320nm。相對于Mira900-D的轉換效率SHG>15%(700-900nm);>10(900-1000nm);THG4(700-900nm);2(900-1000nm).?功能/應用范圍：針對飛秒型(M...
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主要技術指標：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測試和研究領域：電子/信息技...
上海楊浦區
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主要技術指標：波長范圍:345-2500nm;脈沖寬度:80-250fs;重復頻率:80MHZ;平均功率:690–1040nm范圍內>2.5W 功能/應用范圍：線性和非線性光譜測試，超快動力學研究。...
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