檢測認證人脈交流通訊錄
德國BATOP PSFL1030光纖激光器 MCT-1064-90ps激光微芯片 激光組件
- 維爾克斯光電和德國BATOP公司有著緊密和深入的合作，能夠迅速響應用戶對光纖激光器、1064nm激光芯片和激光組件的報價和交貨需求。
PSFL1030 皮秒光纖激光評估套件
BATOP的PSFL1030評估套件允許用戶在1030 nm波長使用，配置了可飽和吸收鏡，可作為非線性光學器件的被動鎖模器件和激光諧振腔。光纖激光器的設計可以很容易的研究改變某些參數對激光輸出信號的影響。
用戶能夠在1030n構建自己的ps光纖激光裝置，支持對被動鎖模摻鐿光纖激光器的實驗現象的理解。
以下的光纖激光器的配置可以通過PSFL1030皮秒光纖激光評估套件實現：
被動鎖模皮秒光纖激光器的可飽和吸收鏡（SAM）
使用一個光纖布拉格光柵（FBG）分散控制
PS振蕩器+光纖放大器的組合
1030nm連續波光纖激光器
放大的自發輻射（ASE）的寬帶發射。
PSFL1030評估套件包含了980 nm泵浦激光二極管和激光二極管控制器運行，得到1030nm的皮秒光纖激光輸出。
測量激光輸出參數除了PSFL1030評估套件，還需要如下附加設備：
光功率計測量激光輸出平均功率
快速光電二極管激光輸出信號跟蹤的時間依賴性
200 MHz示波器測量光電二極管的輸出信號
可選：OSA（光譜分析儀）測量的光譜強度
可選：脈寬測量的自相關器
PSFL1030 皮秒光纖激光評估套件的參數
皮秒光纖激光器評估套件，
被動鎖模光纖激光器，
波長1030 nm，
~ 3 ps脈沖持續時間，
脈沖能量~ 50 PJ，
重復率50 - 100兆赫，
泵浦波長975 nm。
BATOP 1064nm激光微芯片
微芯片（MC，BATOP 1064nm激光微芯片）是由可飽和吸收體結合Nd:YVO4 激光晶體。如果使用波長為808 nm的被動調Q激光器泵浦，其就可以產生脈沖激光輻射的波長在1064 nm激光。
BATOP 1064nm激光芯片的優勢是其重復頻率和泵浦能量有關，隨著泵浦能量的增加，1064nm芯片的重復頻率也隨著增加，而輸出激光的脈寬和單脈沖能量都不變。寄激光輸出是線性的。
BATOP 1064nm激光微芯片的應用領域：
微加工
光探測和測距（LIDAR）
精密測量
頻率轉換
BATOP 1064nm激光微芯片的型號和參數
BATOP 1064nm激光微芯片可分為兩大類：反射式和透射式。
1）MC：反射模式芯片
Nd∶YVO4激光晶體與可飽和吸收鏡結合（SAM）。
激光束在泵浦光的反方向，必須使用一個二分鏡從泵浦光中分離。
激光輸出與偏振方向垂直于銅熱沉槽中的偏振方向的直線偏振光。
2）MCT：傳輸模式芯片
Nd∶YVO4激光晶體結合在可飽和吸收耦合輸出鏡（SOC）上。
激光輸出光束與泵浦光束的方向相同。
激光輸出為線偏振。
下面是BATOP 1064nm激光微芯片的型號參數。
MC-1064-100ps 反射模式微芯片
λ = 1064 nm, 脈寬~ 100 ps,
脈沖能量 ~ 20 nJ, 重復頻率 80 kHz - 700 kHz
pump wavelength 808 nm
MC-1064-240ps 反射模式微芯片
λ = 1064 nm, 脈寬~ 240 ps,
脈沖能量 ~ 30 nJ, 重復頻率 50 kHz - 800 kHz
pump wavelength 808 nm
MCT-1064-90ps 透射模式微芯片
λ = 1064 nm, 脈寬~ 90 ps,
脈沖能量 ~ 100 nJ, 重復頻率 20 kHz - 400 kHz
pump wavelength 808 nm
MCT-1064-220ps 透射模式微芯片
λ = 1064 nm, 脈寬~ 220 ps,
脈沖能量 ~ 160 nJ, 重復頻率 20 kHz - 400 kHz
pump wavelength 808 nm
BATOP激光組件、激光元件
德國BATOP還提供一系列的激光元件和組件，包括窄帶通濾波器、長通濾波器和broadband gold mirror。
尺寸很小的反射鏡（幾mm）或長通濾波器需要這樣的設備，可以在單晶GaAs襯底上使用。單晶GaAs具有良好的導熱系數55 W/(m*K)，可以切割成小的矩形芯片由于其立方晶體結構。
Au-M-4x4 Gold mirror on GaAs substrate
area: 4.0 mm x 4.0 mm, thickness 0.45 mm
Au-M-2x2 Gold mirror on GaAs substrate
area: 2.0 mm x 2.0 mm, thickness 0.45 mm
Au-M-1.3x1.3 Gold mirror on GaAs substrate
area: 1.3 mm x 1.3 mm, thickness 0.45 mm
B-M-1030nm-4x4 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate
area: 4.0 mm x 4.0 mm, thickness 0.45 mm
B-M-1030nm-2x2 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate
area: 2.0 mm x 2.0 mm, thickness 0.45 mm
B-M-1030nm-1.3x1.3 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate
area: 1.3 mm x 1.3 mm, thickness 0.45 mm
LPF-900-5x5 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate
stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm
chip area: 5.0 mm x 5.0 mm, chip thickness 0.625 mm
LPF-900-4x4 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate
stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm
chip area: 4.0 mm x 4.0 mm, chip thickness 0.625 mm
LPF-900-2x2 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate
stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm
chip area: 2.0 mm x 2.0 mm, chip thickness 0.625 mm
