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北京卓立漢光儀器有限公司

檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄

光致發(fā)光光譜成像測(cè)量系統(tǒng) PMEye-3000

  • 這真不是您需要的產(chǎn)品？
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    • 光致發(fā)光光譜成像測(cè)量系統(tǒng) PMEye-3000 PMEye-3000光致發(fā)光光譜成像（PL-Mapping）測(cè)量系統(tǒng)是卓立漢光最新研制的，用于LED外延片、半導(dǎo)體晶片、太陽能電池材料等，在生產(chǎn)線上的質(zhì)量控制和實(shí)驗(yàn)室中的產(chǎn)品研發(fā)檢測(cè)。該系統(tǒng)對(duì)樣品的PL譜進(jìn)行Mapping二維掃描成像，掃描結(jié)果以3D方式進(jìn)行顯示，使檢測(cè)結(jié)果更易于分析和比較。該系統(tǒng)的軟件窗口界面友好，操作簡(jiǎn)單，只需簡(jiǎn)單培訓(xùn)就能使用。 測(cè)試原理： PL（光致發(fā)光）是一種輻射復(fù)合效應(yīng)。在一定波長(zhǎng)光源的激發(fā)下，電子吸收激發(fā)光子的能量，向高能級(jí)躍遷而處于激發(fā)態(tài)。激發(fā)態(tài)是不穩(wěn)定的狀態(tài)，會(huì)以輻射復(fù)合的形式發(fā)射光子向低能級(jí)躍遷，這種被發(fā)射的光稱為熒光。熒光光譜代表了半導(dǎo)體材料內(nèi)部，一定的電子能級(jí)躍遷的機(jī)制，也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一種用于提供半導(dǎo)體材料的電學(xué)、光學(xué)特性信息的光譜技術(shù)，可以研究帶隙、發(fā)光波長(zhǎng)、結(jié)晶度和晶體結(jié)構(gòu)以及缺陷信息等等。 應(yīng)用領(lǐng)域舉例： LED外延片，太陽能電池材料，半導(dǎo)體晶片，半導(dǎo)體薄膜材料等檢測(cè)與研究。 主要特點(diǎn)： ◆ PLMapping測(cè)量 ◆ 多種激光器可選 ◆ Mapping掃描速度：180點(diǎn)/秒 ◆ 空間分辨率：50um ◆ 光譜分辨率：0.1nm@1200g/mm ◆ Mapping結(jié)果以3D方式顯示 ◆ 最大8吋的樣品測(cè)量 ◆ 樣品精確定位 ◆ 樣品真空吸附 ◆ 可做低溫測(cè)量 ◆ 膜厚測(cè)量 一體化設(shè)計(jì)，操作符合人體工學(xué) PMEye3000 PL Mapping測(cè)量系統(tǒng)采用立式一體化設(shè)計(jì)，關(guān)鍵尺寸根據(jù)人體工學(xué)理論設(shè)計(jì)，不管是樣品的操作高度和電腦使用高度，都特別適合于人員操作。主機(jī)與操作平臺(tái)高度集成，方便于在實(shí)驗(yàn)室和檢測(cè)車間里擺放。儀器側(cè)面設(shè)計(jì)有可收放平臺(tái)，可擺放液晶顯示器和鼠標(biāo)鍵盤。儀器底部裝有滾輪，方便于儀器在不同場(chǎng)地之間的搬動(dòng)。 模塊化設(shè)計(jì) PMEye-3000 PL Mapping測(cè)量系統(tǒng)全面采用模塊化設(shè)計(jì)思想，可根據(jù)用戶的樣品特點(diǎn)來選擇規(guī)格配置，讓用戶有更多的選擇余地。激發(fā)光源、樣品臺(tái)、光譜儀、探測(cè)器、數(shù)據(jù)采集設(shè)備都實(shí)現(xiàn)了模塊化設(shè)計(jì)。 操作簡(jiǎn)便、全電腦控制 PMEye-3000 PL Mapping測(cè)量系統(tǒng)，采用整機(jī)設(shè)計(jì)，用戶只需要根據(jù)需要放置檢測(cè)樣品，無需進(jìn)行復(fù)雜的光路調(diào)整，操作簡(jiǎn)便；所有控制操作均通過計(jì)算機(jī)來控制實(shí)現(xiàn)。 全新的樣品臺(tái)設(shè)計(jì)，采用真空吸附方式對(duì)樣品進(jìn)行固定，避免了用傳統(tǒng)方式固定樣品而造成的損壞；可對(duì)常規(guī)尺寸的LED外延片樣品進(jìn)行精確定位，提高測(cè)量重復(fù)精度。 兩種測(cè)量方式,用途更廣泛 系統(tǒng)采用直流和交流兩種測(cè)量模式，直流模式用于常規(guī)檢測(cè)，交流模式用于微弱熒光檢測(cè)。 監(jiān)控激發(fā)光源,校正測(cè)量結(jié)果 一般的PL測(cè)量系統(tǒng)只是測(cè)量熒光的波長(zhǎng)和強(qiáng)度，而沒有對(duì)激發(fā)光源進(jìn)行監(jiān)控，而激發(fā)光源的不穩(wěn)定性將會(huì)對(duì)PL測(cè)量結(jié)果造成影響。PMEye-3000 PL Mapping測(cè)量系統(tǒng)增加對(duì)激光強(qiáng)度的監(jiān)控，并根據(jù)監(jiān)控結(jié)果來對(duì)PL測(cè)量進(jìn)行校正。這樣就可以消除激發(fā)光源的不穩(wěn)定帶來的測(cè)量誤差。 激光器選配靈活 PMEye-3000 PL Mapping測(cè)量系統(tǒng)有多種高穩(wěn)定性的激光器可選，系統(tǒng)最多可內(nèi)置2個(gè)激光器和一個(gè)外接激光器，標(biāo)配為1個(gè)405nm波長(zhǎng)高穩(wěn)定激光器。用戶可以根據(jù)測(cè)量對(duì)象選配不同的激光器，使PL檢測(cè)更加精準(zhǔn)。 可選配的激光器波長(zhǎng)有： 405nm，442nm，532nm、785nm、808nm等，外置選配激光器波長(zhǎng)為：325nm。 自動(dòng)Mapping功能 PMEye-3000 PL Mapping測(cè)量系統(tǒng)配置200×200mm的二維電控位移臺(tái)，最大可測(cè)量8英寸的樣品。用戶可以根據(jù)不同的樣品規(guī)格來設(shè)置掃描區(qū)域、掃描步長(zhǎng)、掃描速度等，掃描速度可高達(dá)每秒180個(gè)點(diǎn)，空間分辨率可達(dá)50um。掃描結(jié)果以3D方式顯示，以不同的顏色來表示不同的熒光強(qiáng)度。 軟件功能豐富,操作簡(jiǎn)便 我們具有多年的測(cè)量系統(tǒng)操作軟件開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，,熟悉試驗(yàn)測(cè)量需求和用戶的操作習(xí)慣，從而使開發(fā)的這套PMEye-3000操作軟件功能強(qiáng)大且操作簡(jiǎn)便。 MEye-3000操作軟件提供單點(diǎn)PL光譜測(cè)量及顯示，單波長(zhǎng)的X-Y Mapping測(cè)量，給定光譜范圍的X-Y Mapping測(cè)量及根據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行峰值波長(zhǎng)、峰值強(qiáng)度、半高寬、給定波長(zhǎng)范圍的熒光強(qiáng)度計(jì)算并以Mapping顯示，Mapping結(jié)果以3D方式顯示。同時(shí)具有多種數(shù)據(jù)處理方式來對(duì)所測(cè)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。 低溫樣品室附件 該附件可實(shí)現(xiàn)樣品在低溫狀態(tài)下的熒光檢測(cè)。 有些樣品在不同的溫度條件下，將呈現(xiàn)不同的熒光效果，這時(shí)就需要對(duì)樣品進(jìn)行低溫制冷。 如圖所示，從圖中我們可以發(fā)現(xiàn)在室溫時(shí)，GaN薄膜的發(fā)光波長(zhǎng)幾乎涵蓋整個(gè)可見光范圍，且強(qiáng)度的最高峰出現(xiàn)在580nm附近，但整體而言其強(qiáng)度并不強(qiáng)；隨著溫度的降低，發(fā)光強(qiáng)度開始慢慢的增加，直到110K時(shí)，我們可以發(fā)現(xiàn)在350nm附近似乎有一個(gè)小峰開始出現(xiàn)，且當(dāng)溫度越降越低，這個(gè)小峰強(qiáng)度的增加也越顯著，一直到最低溫25K時(shí)，基本上就只有一個(gè)熒光峰。 GaN薄膜的禁帶寬度在室溫時(shí)為3.40Ev,換算成波長(zhǎng)為365nm，而我們利用PL系統(tǒng)所測(cè)的GaN薄膜在25K時(shí)在356.6nm附近有一個(gè)峰值，因此如果我們將GaN薄膜的禁帶寬度隨溫度變化情況也考慮進(jìn)去，則可以發(fā)現(xiàn)在理論上25K時(shí)GaN的禁帶寬度為3.48eV，即特征波長(zhǎng)為357.1nm，非常靠近實(shí)驗(yàn)所得的356.6nm，因此我們可以推斷這個(gè)發(fā)光現(xiàn)象應(yīng)該就是GaN薄膜的自發(fā)輻射。 不同制冷溫度下GaN材料的PL譜圖 主要功能和技術(shù)參數(shù) 掃描模式 單點(diǎn)光譜掃描；單波長(zhǎng)Mapping 攝譜模式 峰值波長(zhǎng)Mapping；峰值強(qiáng)度Mapping； 半高寬Mapping；給定波長(zhǎng)范圍的熒光強(qiáng)度Mapping 膜厚測(cè)量 單點(diǎn)膜厚測(cè)量 光源 405nm激光（標(biāo)配）；150W溴鎢燈 光譜儀 三光柵DSP掃描光譜儀 光譜儀焦距 300mm（標(biāo)配） 500mm 光譜分辨率 0.1nm(1200g/mm光柵) 0.05nm(1200g/mm光柵) 倒線色散(nm/mm) 2.7(1200g/mm光柵) 5.4(600g/mm光柵) 10.8(300g/mm光柵) 1.7(1200g/mm光柵) 3.4(600g/mm光柵) 6.8(300g/mm光柵) 探測(cè)器 Si探測(cè)器，光譜響應(yīng)范圍：200～1100nm （標(biāo)配） 數(shù)據(jù)采集設(shè)備 帶前置放大器的數(shù)字采集器DCS300PA（標(biāo)配） 鎖相放大器SR830（選配） 二維位移平臺(tái) 行程200*200mm，重復(fù)定位精度<3μm 樣品臺(tái) 具有真空吸附功能 對(duì)主流的2’’,3’’,4’’,5’’,6’’,8’’的晶片可進(jìn)行精確定位 Mapping掃描速度 高達(dá)180點(diǎn)/秒 Mapping位移步長(zhǎng) 最小可到1um 空間分辨率 50um 重復(fù)定位精度 <3um 可選擇探測(cè)器 探測(cè)器類型 光譜響應(yīng)范圍 R1527光電倍增管 200～680nm CR131光電倍增管 200～900nm DSi300硅光電探測(cè)器 200～1100nm DInGaAs1700常溫型銦鎵砷探測(cè)器 800～1700nm DInGaAs1900制冷型銦鎵砷探測(cè)器 800～1900nm DinGaAs2200制冷型銦鎵砷探測(cè)器 800～2200nm DinGaAs2600制冷型銦鎵砷探測(cè)器 800～2600nm 可選擇的內(nèi)置激光器： 波長(zhǎng) 穩(wěn)定性 功率 355nm <10% 1～20mW 405nm <1% 1～300mW 442nm <1% 1～50mW 532nm <1% 1～450mW 561nm <1% 1～200mW 635nm <1% 1～500mW 785nm <1% 1～300mW 808nm <1% 1～500mW 可選擇的外置激光器： 325nm HeCd激光器，功率有：10、15、20、、25、30、40、45、50、55、80、100mW等。

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