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西安中昊芯測科技有限公司

檢測認證人脈交流通訊錄

MOS管參數測試儀SC2015

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    • MOS管參數測試儀SC2015 一、產品簡介/特點: MOS管參數測試儀SC2015主要用于中小電子產品企業對場效應管或IGBT的批量測量,篩選,非常適合來料檢驗使用。 1、采用高精度AD,滿足測量精度,而高速微處理器和電子開關,使測量工作迅速、高效、寧靜。采用脈沖測量法,可以提供高達150A的測試電流,而不會使被測管子發熱。有自動均流功能,確保被測管安全。 2、有自檢功能、測量判斷功能以及故障報警指示功能,當不是Vmos管時或錯插等,測量不能繼續。在測量前后,測量插座柵源之間是短路狀態,以確保被測量管插入或拔出管座時的安全。 3、有20A~150A容量選擇,即便是選錯電流檔用最大電流測量小容量管子,也不會損害被測管。 4、您可以按需要設定分選參數范圍。可設定的有:開啟電壓Ut、跨導Gfs、通態電阻Ron以及極間電容Cir的下限和上限。對于超限的測量,蜂鳴器會報警,并且哪個參數超限,會閃爍提示,用戶可以不大理會符合標準的參數具體數據,只在報警時注意閃爍的參數,這樣極大的方便了工業批量測量。 5、使用簡單,不需要專業知識。 6、規格尺寸240*350*130mm(寬*深*高),桌面小臺式結構,采用鋁合金冷拉型板為框架,支腳可調。 7、工作臺有TO220和3P插座,面板設有容量選擇,以及220/3P選擇,方便用戶使用。 二、性能指標: 1、測量VMOS管可同時顯示: ?通態電阻Ron:1~999mΩ (超過999 mΩ時,自動轉為9.99Ω擋)  跨導Gfs:0~99.9S 耐壓Bv:0~1999V  開啟電壓Ut:0~12V  極間電容Cir:0.1~9.9 (np) 通態電流Id:0-150A 2、如果您需要,通過輔助功能鍵,還可以得到:  a、Cir 1% nP精度;  b、Ut 1%V 精度;  c、測量Ron時的: Ids(max A),Vds(min V); ?d、以及測量Ggs時:Ids(A),Vds(V),Vgs(V); 3、10位LED顯示。 4、設備供電160V~230V 正常工作。 三、測試參數: (1)二極管Diode 靜態參數:BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降; (2)三極管Transistor 靜態參數:BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VCESAT/飽和壓降 (2)場效應管MOSFET 靜態參數:BVDSS/漏源極擊穿電壓,Ut/開啟電壓,Ids/漏源極漏電流,Vf/二極管正向壓降;Ron/導通內阻,Gfs/跨導,Cir/極間電容 (3)晶體管IGBT 靜態參數:BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降;VCESAT/飽和壓降 應用領域: 電子廠的功率器件來料檢驗、器件廠的產品分選、電子產品研發的選型配對、電子產品維修檢驗等。
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