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檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄

雪崩能量測(cè)試儀 華科智源

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  • 品　　牌：
  • 華科智源
  • 主要規(guī)格：
  • 用　　途：
  • igbt測(cè)試儀
    • 雪崩能量測(cè)試儀功能指標(biāo)： 配置 測(cè)試范圍 測(cè)試參數(shù) 條件 范圍 電壓 1000V IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管 EAS/單脈沖雪崩能量 VCE 20V～4500V 20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V 電流 200A MOSFETs MOS場(chǎng)效應(yīng)管 EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 Ic 1mA～200A 1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA DIODEs 二極管 IAS/單脈沖雪崩電流 Ea 1J～2000J 1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J PAS/單脈沖雪崩功率 IC檢測(cè) 50mV/A（取決于傳感器） 感性負(fù)載 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 重復(fù)間隙時(shí)間 1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次 雪崩能量測(cè)試儀?測(cè)試模式 單脈沖松開電感的開關(guān)（UIS） 單脈沖雪崩應(yīng)力（EAS） 重復(fù)性雪崩能量（EAR） 重復(fù)脈沖故障（RPF） 執(zhí)行的測(cè)試 連續(xù)性測(cè)試裝置的插座和/或接觸 DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測(cè)試 - 前，后的雪崩 功能設(shè)備測(cè)試 雪崩測(cè)試 特點(diǎn) 單路/雙路設(shè)備測(cè)試 N溝道，P溝道，混合 全固態(tài)切換 - 無需繼電器 更快的測(cè)試 電流范圍：0.1A至200A，0.1A步驟 雪崩電壓至2500V 觸摸屏程序進(jìn)入/控制 波形捕獲/顯示 內(nèi)部測(cè)試程序存儲(chǔ)（20個(gè)文件） 高速電感充電，減少了測(cè)試時(shí)間 可編程漏電測(cè)試電壓 前置/后置雪崩泄漏測(cè)試 雪崩折疊測(cè)試 多功能測(cè)試處理器控制 15硬件排序箱 改進(jìn)的電壓/電流精度 通過Flash下載軟件更新 高速RS-485 PTNet接口 控制參數(shù)輸入密碼 使用所有ITC電感負(fù)載箱 接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF 內(nèi)置自我測(cè)試

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