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主要技術指標1.真空系統(tǒng):樣品進樣室極限真空度≤7×10-9mbar;分析室極限真空度≤1×10-10mbar,X-ray工作時分析室真空度:1×10-9mbar2.單色化XPS:靈敏度:...
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主要技術指標流速(ml/min):0.000-10流速精度:<0.075%RSD最高耐壓(bar):345樣品溫度范圍:室溫以上5℃-180℃示差折光檢測器噪音:<5X10-8RIU(1ml/min流速)...
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主要技術指標分別率:3~4nm放大倍數:×8~×3000,000樣品尺寸:2×2~10×10EDS:131eV主要功能1、材料微觀放大成像2、材料微觀...
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主要技術指標蝕刻反應室抽氣速率:真空度<5.0×10^-5Torr(15分鐘內);蝕刻反應室極限真空:8.0×10^-6Torr;裝載室抽氣速率:真空度<5.0×10^-2Torr(5分鐘內);蝕...
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主要技術指標滿度電流量程:2A到200nA輸出電壓:>±30V參考電極輸入阻抗:>10GΩ,電容50pF直流極化電壓范圍:±14.5V電流范圍:±2A,最大分辨率100...
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主要技術指標功率發(fā)生器2kW,2.45GHz;質量流量計10,30,50sccm;系統(tǒng)真空度優(yōu)于1.0×10-6Torr;保壓12小時后真空度優(yōu)于1.0×10-1Pa主要功能最大沉底加熱溫度900℃...
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