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主要技術指標:分辨率:1.0nm@15kV、1.9nm@1kV;離子束分辨率:2.5nm@30kV;加速電壓:0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應用范圍:用于各種微納器件和低維納米人工結構的制作,是...
上海楊浦區(qū)
主要技術指標:分辨率:1.0nm@15kV、1.9nm@1kV;離子束分辨率:2.5nm@30kV;加速電壓:0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應用范圍:用于各種微納器件和低維納米人工結構的制作,是...
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