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儀器類(lèi)別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標(biāo):量程:0~10/100/1,000/10,000/100,000ppm(丙烷);檢測(cè)限:<全量程的2%;線性:全量程的±2%(直到量程0~10000ppm);零點(diǎn)漂移:<全量程的2%/周;跨度漂移:<...
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主要技術(shù)指標(biāo):1天平靈敏度:0.1μg2溫度范圍:室溫~1500℃3升溫速率:0.1to100℃/min(溫度范圍為室溫~1000℃)0.1to25℃/min(溫度范圍為室溫~1500℃)4溫度準(zhǔn)確度:±1℃...
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主要技術(shù)指標(biāo):測(cè)繪范圍:18000-95000nT(γ) 主要附件及功能:可同時(shí)觀看五條迭加測(cè)量剖面和測(cè)量網(wǎng)絡(luò),可傳輸、編輯數(shù)據(jù),按二維或三維等值線格式內(nèi)插數(shù)據(jù) 主要應(yīng)...
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主要技術(shù)指標(biāo):兩激光六色,分選。 主要應(yīng)用領(lǐng)域:生物醫(yī)學(xué),醫(yī)藥 檢測(cè)項(xiàng)目:細(xì)胞分析 儀器聯(lián)系人:周翔 聯(lián)系人電話:0731-85292064...
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主要技術(shù)指標(biāo):雙模式——選擇比色皿或基座更寬的濃度范圍,可以測(cè)量很低或很高的濃度比色皿功能可以進(jìn)行動(dòng)力學(xué)(時(shí)間或時(shí)間/溫度研究)和細(xì)胞培養(yǎng)(OD600)測(cè)量加熱:37°C,&...
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主要技術(shù)指標(biāo):(1)波長(zhǎng)范圍:380-780nm.(2)光譜精度:±1nm.(3)亮度精度(相對(duì)于NIST亮度標(biāo)準(zhǔn)):±2%。 主要應(yīng)用領(lǐng)域:電子與測(cè)量 檢測(cè)項(xiàng)目:光源的光譜...
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主要技術(shù)指標(biāo):(1)光譜范圍:350nm到2500nm;(2)主機(jī)內(nèi)置存儲(chǔ)器1000scans(掃);(3)儀器主機(jī)機(jī)身須內(nèi)置觸摸功能高清QVGA液晶顯示屏,能支持用戶(hù)使用主機(jī)測(cè)量,光譜數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)顯示在儀器...
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主要技術(shù)指標(biāo):1.測(cè)量波段:3~5um、8~14um、1~22um;2.發(fā)射率測(cè)量范圍:0.1~0.99;3.靈敏度NE△ε:0.001;4.示值誤差:±0.02(ε>0.50);5.重復(fù)性:±...
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主要技術(shù)指標(biāo):自旋分辨角分辨光電子能譜儀由激發(fā)源(含單色X射線,真空紫外HeⅡ光及飛秒激光光源)、自旋分辨角度分辨電子能量分析器、電子探測(cè)器、樣品電離室、真空系統(tǒng)和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)構(gòu)...
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主要技術(shù)指標(biāo):最佳能量分辨率:≦0.45ev(XPS)最佳靈敏度:≧1000000cps(o.6evAg3d5/2)最佳空間分辨率:≦3μm(快速平行成像)分析室最佳真空度:優(yōu)于5×10-10mbar快速進(jìn)樣室最佳...
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主要技術(shù)指標(biāo):TEM點(diǎn)分辨率:80pm;信息分辨率:優(yōu)于80pm;STEM分辨率:優(yōu)于136pm物鏡電流穩(wěn)定度:<0.2ppm/min;電子槍能量色散度:≤0.7eV;最大STEM采集角:12°(半角);會(huì)...
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主要技術(shù)指標(biāo):放大倍數(shù):150--600,000倍;加速電壓:1KV--30KV;分辨本領(lǐng):1.4nm/1KV;0.9nm/15KV。 主要附件及功能:EDS、EBSD、材料微區(qū)元素成分半定量分析、織構(gòu)分析。...
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主要技術(shù)指標(biāo):·高通量:高速度---因?yàn)槊總€(gè)微球體作為單獨(dú)的檢測(cè)體,大量的生物檢測(cè)可同時(shí)進(jìn)行。“多功能性---單獨(dú)的xMAP技術(shù)可以運(yùn)用到多種生物檢測(cè)中來(lái),包括酸核研究、酶學(xué)研究、酶學(xué)...
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主要技術(shù)指標(biāo):試樣15mm 主要應(yīng)用領(lǐng)域:地質(zhì)礦產(chǎn),大氣物理,公共安全,能源,其它 檢測(cè)項(xiàng)目:礦巖的孔隙率與結(jié)構(gòu)特征分析 儀器聯(lián)系人:周科平 聯(lián)系人...
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主要技術(shù)指標(biāo):1:CCD檢測(cè)器:增強(qiáng)型CCD檢測(cè)器,2:.CCD經(jīng)冷卻至絕對(duì)溫度(-30℃),冷卻系統(tǒng):Peltier3:425nm處絕對(duì)Q/E(光電轉(zhuǎn)化率)值:55%,絕對(duì)Q/E峰值:63%。 主要應(yīng)用領(lǐng)域...
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主要技術(shù)指標(biāo):分辨率《3nm 主要應(yīng)用領(lǐng)域:農(nóng)業(yè),材料,生物醫(yī)學(xué),石油化工,地質(zhì)礦產(chǎn),珠寶首飾,機(jī)械工程,能源,輕工,電子與測(cè)量,有機(jī)化學(xué),考古 檢測(cè)項(xiàng)目:形貌觀...
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主要技術(shù)指標(biāo):采用空氣軸承(專(zhuān)利)減小摩擦,提高載荷精度和范圍;力范圍:0.0001~18N;采用光學(xué)編碼器(專(zhuān)利)提高應(yīng)變偵測(cè)能力;應(yīng)變范圍:0.5?m~10mm;應(yīng)變分辨率:1nanometer;頻...
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主要技術(shù)指標(biāo):激光能量:20J/pulse,熱擴(kuò)散系數(shù)范圍:0.01...1000mm2/s,導(dǎo)熱系數(shù)范圍:0.1...2000W/m*K,高真空密閉系統(tǒng),真空度10-5mbar。 主要應(yīng)用領(lǐng)域:材料,地質(zhì)...
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主要技術(shù)指標(biāo):檢測(cè)速度:120樣本/小時(shí),試管架容量:5個(gè)試管架(容納50份樣本),最小樣本量:3ml,吸入樣本量:約1ml,采圖量:50幀/樣本,ID條碼或鍵盤(pán)輸入ID,工作站:四核電腦(64bit)...
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主要技術(shù)指標(biāo):1.入射波長(zhǎng):650nm;2.波長(zhǎng)分辨率:0.6nm;3.入射角范圍:30°~90°;4.膜厚準(zhǔn)確度:±0.1nm。 主要應(yīng)用領(lǐng)域:材料,機(jī)械工程 檢測(cè)項(xiàng)目:測(cè)...
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