技術推動是加速傳感器技術發展的保證和機遇。幾十年來，以微電子技術為基礎，促進了傳感器技術的發展。未來10～20年，傳統硅技術將進入成熟期(預測為2014年～2017年)。屆時，直徑300mm硅晶片將大量用于生產，使得硅的低成本制造技術和硅的應用技術將得到空前的發展，這無疑將為研制生產微型傳感器、智能傳感器等新型傳感器提供技術保障。從總體發展看，傳統硅技術將一直延續到2047年才趨于飽和和衰退。而當前微電子技術仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎規律走下去，在盡力逼近傳統硅技術極限中，不斷擴展硅的跨學科橫向應用和突破“非穩態物理器件”，而上述微電子技術發展中的兩大方向正是當前乃至未來20年傳感器技術的主要發展方向。

多學科、多種高新技術的交叉融合，推動了新一代傳感器的誕生與發展。例如：我國重點開發的MEMS、MOMES、智能傳感器、生物化學傳感器等以及今后將大力開發的網絡化傳感器、納米傳感器均是多學科、多種學科技術交叉融合的新一代傳感器。
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