半導(dǎo)體特性測試系統(tǒng) 功率半導(dǎo)體特性測試系統(tǒng)價格 盛鉑供
IST8900功率半導(dǎo)體特性測試系統(tǒng)www.samplesci.com/product/product148.html可測試IGBT、MOSFET等12種功率半導(dǎo)體元件135個動、靜參數(shù)。當器件處于
導(dǎo)通狀態(tài)時,IST8900測量精確度可至0.1μA,高達50A,也可以借由外部電流模組,將大功率測試電流擴大
至4800A。同樣,當器件處于關(guān)閉狀態(tài)時,各項崩潰電壓測量達2.5KV,可擴展至10KV。
IST8900是一個完整且經(jīng)濟的自動測試設(shè)備(ATE)系統(tǒng),用于測試分立功率半導(dǎo)體組件,功率范圍
mW ~ kW
有135個參數(shù),可以測試12種不同的半導(dǎo)體設(shè)備類型
獨立單元執(zhí)行2500V和50A測試
自動校準和自測診斷
可以用外部電流/電壓模塊將測試范圍擴展至4800 A/10 KV
可接入PC、打印機或數(shù)據(jù)記錄器的USB接口
存儲和調(diào)取先前的測試程式
在測試前退回有瑕疵或錯誤的DUT
提供自動“GO/NO GO(進行/不進行)”測試或參數(shù)測量
可用于Windows 電腦的曲線繪圖儀軟件
用于大容量產(chǎn)生測試的處理器接口
起動安全檢查,防止對不正確的DUT和測試器連接的檢測進行測試
易用菜單驅(qū)動接口,用于生成測試程序
用晶體管、SCR或三端雙向可控硅開關(guān)元件輸出來測試光隔離器
80 μs ~ 300 μs 脈沖間隔防止了過熱或損壞
在無需使用開爾文接觸點的情況下,基于自動軟件的校準***了PCB印刷線、繼電器和連接器上的壓降。
IST 8900型 測試參數(shù)
設(shè)備類型 |
泄露電流 |
擊穿電壓 |
通路參數(shù) |
增益 |
觸發(fā)器參數(shù) |
鎖存器參數(shù) |
維持參數(shù) |
切換參數(shù) |
雙極晶體管 |
Iceo、Ices、Icev Icbo、Iebo |
Bvceo、BVces Bvcev、BVcbo BVebo |
Vce(sat) Vbe(sat) |
hFE |
Vbe(on) |
|
|
導(dǎo)通 關(guān)斷時間 |
MOSFET晶體管 |
Idss、Igsr、Igsf Idsv |
BVdss |
Vds(on)、Ids(on) Rds(on)、Vsd |
gFS |
Vgs(th) Vgs(on) |
|
|
導(dǎo)通 關(guān)斷時間 |
IGBT |
Ices、Igsr、Igsf |
BVces |
Vce(sat)、Ic(on) Vf |
gFS |
Vge(th) Vge(on) |
|
|
導(dǎo)通 關(guān)斷時間 |
TRIAC |
Idrm、Irrm |
BVrrm、BVdrm |
Vtm+、Vtm- |
|
Igt 1/2/3/4 Vgt 1/2/3/4 |
|
Ih+、Ih- |
|
SCR |
Idrm、Irrm、Igko |
BVdrm、BVrrm BVgko |
Vtm |
|
Igt、Vgt |
IL |
Ih |
|
GTO |
Idrm、Irrm、Igrm |
|
Vtm |
|
Igt、Vgt |
IL |
Ih |
|
二極管 |
Ir |
BVr |
Vf、If |
|
|
|
|
|
齊納二極管 |
Ir |
BVz、BVr |
Vf |
|
|
|
|
|
J-FET |
Igss |
BVgss |
Idss、Rds(on) Vds(on) |
gFS |
|
Vgs(p) |
Id(p) |
|
校準器 |
|
|
+/-Vo、+/-Ipk +/-Isc |
|
|
+/-dV |
+/-0r、+/-Ir |
|
光隔離器 |
Irrm、Ir、Iceo Icbo、Iebo Ic(off)、Idrm |
Bvceo、BVcbo BVebo |
Vf、Ic(on)、Vce(sat)、Vtm |
CTR、hFE |
Igt |
|
Ih |
|
TVS |
Ir |
BVr |
Vbo,Ibo,dVbo |
|
|
|
|
|
IST 8900型允許在用戶給定的范圍內(nèi),通過執(zhí)行256高速點對點測試步驟來生成單個或多個曲線。數(shù)據(jù)增量
可以是線性或者是對數(shù)格式。
測試結(jié)果可以通過USB端口轉(zhuǎn)移至電腦。利用包括在產(chǎn)品內(nèi)的用于Windows電腦下的IST 8900曲線繪圖儀軟
件程式,可以顯示出下列曲線。可以將曲線繪圖儀功能應(yīng)用至下列所示的參數(shù)測量中。
雙極晶體管
Ice(o,s,v) |
– |
BVce(o,s,v) |
Icbo |
– |
BVcbo |
Iebo |
– |
BVebo |
Ic |
– |
Vce(sat) |
Ic |
– |
Vbe(sat) |
Ic |
– |
hFE |
MOSFET
Idss |
– |
BVdss |
Idsv |
– |
BVdsv |
Ids |
– |
Vds (不同Vgs) |
Rds |
– |
Ids (不同Vgs) |
Rds |
– |
Vgs (Ids固定) |
Ids |
– |
Vgs (Vds固定) |
Is |
– |
Vsd |
IGBT
Ices |
– |
BVces |
If |
– |
Vf |
Ic |
– |
Vce (Vge不同) |
雙極管、齊納雙極管
Ir |
– |
BVr |
Iz |
– |
BVz |
外部模塊進行高功率半導(dǎo)體測試
隨著功率模塊老化,其性能會下降。對在電力切換中使用的半導(dǎo)體設(shè)備進行適當?shù)臏y試和維護,能確保其性
能處于相當佳狀態(tài),并能縮短設(shè)備的維修時間。通過準確地模擬實時操作條件下設(shè)備參數(shù)電流和電壓,IST
8900型分立半導(dǎo)體測試系統(tǒng)使您可以有效地鑒別出半導(dǎo)體設(shè)備退化的百分比。
Vce(sat.),Vds(on),Rds(on),Vf,和Vtm參數(shù)的通路測試,可以使用2400型和4800外部電流模塊。這些模
塊將IST 8900型的高功率測試能力擴展至幾千安培。每個電流模塊自身擁有電源以給內(nèi)部電路供電,并且在
測試中給電池充電。8900型通過一個DB-25接口連續(xù)控制0-2400A或0-4800A的電流。
而5KV或10KV擊穿電壓和泄漏電流測量的斷態(tài)參數(shù)測試,可以用備選的外部電壓模塊來執(zhí)行。
泄漏電流測量范圍
盛鉑科技(上海)有限公司www.samplesci.com成立于2013年3月,公司總部坐落于上海漕河涇新興技術(shù)開發(fā)區(qū)。公司采用
自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)(全球首創(chuàng)的One-Box寬帶矢量技術(shù))并結(jié)合引進的國際先進的測試測量產(chǎn)品和技術(shù),
利
用自身在數(shù)字信號處理、射頻、高速信號完整性、功率電子和半導(dǎo)體測試領(lǐng)域的專業(yè)優(yōu)勢,向客戶提供
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2014年盛鉑科技自主研發(fā)的50GHz全頻帶寬帶上/下變頻器獲得上海市科委的科技創(chuàng)新基金項目的支持,
成為上海市科委和漕河涇開發(fā)區(qū)重點扶持企業(yè)。同年,盛鉑科技獲得全國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽優(yōu)勝獎,成為當
年國內(nèi)電子測試領(lǐng)域中的***獲獎企業(yè)。
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