電子元器件破壞性物理分析（DPA）及失效分析FA

?業(yè)務(wù)聯(lián)系信息：

李經(jīng)理：138 0884 0060；

郵箱：lisz@grgtest.com

       廣電計量檢測（GRGT）深耕電子元器件的失效分析與故障歸零，為元器件、電機/機電部件、金屬結(jié)構(gòu)件失效能?提供系統(tǒng)的失效分析，能?涵蓋器件設(shè)計、制造工藝、試驗或應(yīng)用等各階段。

服務(wù)對象 

電子元件、分?器件、機電類器件、線纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲器、AD/DA、總線接?類、通用數(shù)字電路、模擬開關(guān)、模擬器件、微波器件、電源類...

破壞性物理分析（DPA）：

使用前及時發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品隱含缺陷；

判斷批次產(chǎn)品的品質(zhì)（一致性）；

提供選用高可靠性元器件的依據(jù)，保證整機設(shè)備的可靠性；

判斷電子元器件產(chǎn)品的工藝、材料、設(shè)計和材料是否合格。

DPA主要分析項目：

外部目檢 Visual Inspection

X光檢查 X-ray Inspection

粒子噪聲PIND

物理檢查Physical Check

氣密性檢查Airproof Check

內(nèi)部水汽Internal Vapor Analysis

開封Decap

內(nèi)部目檢Internal Inspection

電鏡能譜SEM/EDAX

超聲波檢查 C－SAM

引出端強度 Terminal strength

拉拔力 Pull Test

切片Cross-section

粘接強度Attachment’s strength

鈍化層完整性Integrality Inspection for Glass Passivation

制樣鏡檢Sampling with Microscope

引線鍵合強度 bonding strength

接觸件檢查Contact Check

剪切強度測試Shear Test

破壞性物理分析（DPA）覆蓋標(biāo)準(zhǔn)體系

國軍標(biāo)

GJB 4027A-2006 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序

GJB128A-97 半導(dǎo)體分立器件試驗方法

GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗方法

美軍標(biāo)

MIL-STD-883H-2010 微電子器件試驗方法

MIL-STD-1580-2003 電子、電磁和機電產(chǎn)品的破壞性物理分析

MIL-STD-750D 半導(dǎo)體分析器件試驗方法

電子元器件失效分析（FA）

       通過電學(xué)、物理與化學(xué)等一系列分析技術(shù)手段獲得電子產(chǎn)品失效機理與原因的過程。

        基于獲得的失效機理和原因，可以采取針對性的改進措施，提升產(chǎn)品的可靠性與成品率，縮短研發(fā)周期，鑄就好的品牌，解決技術(shù)糾紛，節(jié)約成本等。

失效分析（FA）服務(wù)內(nèi)容 

形貌分析技術(shù)：體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。

成分檢測技術(shù)：X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質(zhì)譜SIMS、光譜、色譜、質(zhì)譜。

電分析技術(shù)：I-V曲線、半導(dǎo)體參數(shù)、LCR參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。

開封制樣技術(shù)：化學(xué)開封、機械開封、等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、化學(xué)腐蝕、切片。

缺陷定位技術(shù)：液晶熱點、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH。

覆蓋標(biāo)準(zhǔn) 

GJB 33A-1997半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范；

GJB 65B-1999有可靠性指標(biāo)的電磁繼電器總規(guī)范；

GJB 450A裝備可靠性工作通用要求；

GJB 536B-2011電子元器件質(zhì)量保證大綱；

GJB 548B-2005微電子器件試驗方法和程序；

GJB 597A-1996半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范；

GJB 841故障報告、分析和糾正系統(tǒng)；