芯片可靠性驗(yàn)證測(cè)試RA、靜電測(cè)試ESD、失效分析FA

芯片測(cè)試地點(diǎn)：廣電計(jì)量-廣州總部試驗(yàn)室、廣電計(jì)量-上海浦東試驗(yàn)室。

聯(lián)系：李經(jīng)理-13808840060；郵箱：lisz@grgtest.com

芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)：

芯片級(jí)預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL), JESD22-A103 ；

溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC), JESD22-A104 ；

溫濕度試驗(yàn)(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTST / HAST), JESD22-A110； 

高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL), JESD22-A108； 

芯片靜電測(cè)試 ( ESD)：

人體放電模式測(cè)試(HBM), JS001 ；

元器件充放電模式測(cè)試(CDM), JS002 ；

閂鎖測(cè)試(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)： 

光學(xué)檢查(VI/OM) ；

掃描電鏡檢查(FIB/SEM) 

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；

Micro-probe;

聚焦離子束微觀分析(FIB)； 

彈坑試驗(yàn)(cratering) ；

芯片開封(decap) ；

芯片去層(delayer)；

晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法)；

PN結(jié)染色 / 碼染色試驗(yàn)；

推拉力測(cè)試(WBP/WBS)；

紅墨水試驗(yàn)：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚測(cè)量、電子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測(cè)量、EBSD)；

Raman (Raman光譜)；

AFM (微觀表面形貌分析、臺(tái)階測(cè)量)；

GRGT團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力：

•集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控

•集成電路競(jìng)品分析、工藝分析

•芯片級(jí)失效分析方案turnkey

•芯片級(jí)靜電防護(hù)測(cè)試方案制定與平臺(tái)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

•靜電防護(hù)失效整改技術(shù)建議

•集成電路可靠性驗(yàn)證

•材料分析技術(shù)支持與方案制定

半導(dǎo)體材料分析手法

芯片測(cè)試地點(diǎn)：廣電計(jì)量-廣州總部試驗(yàn)室、廣電計(jì)量-上海浦東試驗(yàn)室。

    廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（GRGT）始建于1964年，是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國(guó)化、綜合性的國(guó)有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)，專注于為客戶提供計(jì)量、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、電磁兼容檢測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。廣電計(jì)量的資質(zhì)能力處于行業(yè)領(lǐng)先水平，其中CNAS認(rèn)可3408項(xiàng)，CMA認(rèn)可1990項(xiàng)，CATL認(rèn)可覆蓋55個(gè)類別；在支撐各區(qū)域產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展過程中，廣電計(jì)量還獲眾多榮譽(yù)稱號(hào)。