芯片IC可靠性測試、靜電測試、失效分析

       廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）始建于1964年，是原信息產業部電子602計量站，經過50余年的發展，現已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構，專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術咨詢與培訓等專業技術服務，在計量校準、可靠性與環境試驗、電磁兼容檢測等多個領域的技術能力及業務規模處于國內領先水平。廣電計量的資質能力處于行業領先水平，其中CNAS認可3408項，CMA認可1990項，CATL認可覆蓋55個類別；在支撐各區域產業高質量發展過程中，廣電計量還獲眾多榮譽稱號。

芯片可靠性驗證 ( RA)：

芯片級預處理(PC) & MSL試驗 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高溫存儲試驗(HTSL), JESD22-A103 ；

溫度循環試驗(TC), JESD22-A104 ；

溫濕度試驗(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速應力試驗(HTSL / HAST), JESD22-A110；

高溫老化壽命試驗(HTOL), JESD22-A108；

芯片靜電測試 ( ESD)：

人體放電模式測試(HBM), JS001 ；

元器件充放電模式測試(CDM), JS002 ；

閂鎖測試(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)：

光學檢查(VI/OM) ；

掃描電鏡檢查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；

Micro-probe;

聚焦離子束微觀分析(FIB)； 

彈坑試驗(cratering) ；

芯片開封(decap) ；

芯片去層(delayer)；

晶格缺陷試驗(化學法)；

PN結染色 / 碼染色試驗；

推拉力測試(WBP/WBS)；

紅墨水試驗：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)；

Raman (Raman光譜)；

AFM (微觀表面形貌分析、臺階測量)；

芯片分析服務：

ESD / EOS實驗設計；

集成電路競品分析；

AEC-Q100 / AEC-Q104開展與技術服務；

未知污染物分析 (污染物分析方案制定與實施，幫助客戶全面了解污染物的理化特性，包括：化學成分組成分析、成分含量分析、分子結構分析、晶體結構分析等物理與化學特性分析材料理化特性全方位分析(有機高分子材料、小分子材料、無機非金屬材料的成分分析、分子結構分析等)；

鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實施，包括厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析)；

GRGT團隊技術能力：

•集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控

•集成電路競品分析、工藝分析

•芯片級失效分析方案turnkey

•芯片級靜電防護測試方案制定與平臺實驗設計

•靜電防護失效整改技術建議

•集成電路可靠性驗證

•材料分析技術支持與方案制定

半導體材料分析手法

芯片測試地點：廣電計量-廣州總部試驗室、廣電計量-上海浦東試驗室。

芯片測試咨詢及技術交流：

李紹政； 138-0884-0060 ；lisz @ grgtest.com