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硅分子束外延系統 (Silicon Molecular Beam Epitaxy System)
主要技術指標：真空<1X10-9torr 功能/應用范圍：SiliconMolecularBeamEpitaxySystem(RiberEva-32)two-chambersystemfacilitatedwithtwoe-beamsources,Band...
上海楊浦區
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磁光測量低溫恒溫系統 (magneto plasmadynamic measurement low temperature
主要技術指標：用于磁光效應的檢測，可以測量其偏振性，相干性 功能/應用范圍：磁體，光學測量 主要測試和研究領域：材料/珠寶首飾其他...
上海楊浦區
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主要技術指標：實時顯示數據結果，10秒鐘以內成像方式，脫離對傳統膠片等化學污染品的依賴，整個系統應具有多自由度調節，可以任意調整到需要的實驗位置。換樣時間小于5分鐘，方便迅速。...
上海楊浦區
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