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ICP等離子刻蝕機的主要特點

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  • 品　　牌：
  • 主要規(guī)格：
  • 用　　途：
    • 　　CP等離子刻蝕機NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機概述：是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪崿F(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。 　　NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機主要特點： 　　基于PC控制的立柜式百級ICP-RIE刻蝕系統(tǒng)，擁有快速的刻蝕能力； 　　配套LabView軟件，菜單驅(qū)動，自動記錄數(shù)據(jù)； 　　觸摸屏監(jiān)控； 　　全自動系統(tǒng)，帶安全聯(lián)鎖； 　　四級權限，帶密碼保護； 　　手動上下載片； 　　可以支持ICP和RIE兩種刻蝕模式； 　　實時顯示真空、功率、反射功率圖表，以及流量實時顯示； 　　NRE-4000（ICPM）配置內(nèi)容： 　　外觀尺寸：緊湊型立柜式設計，不銹鋼腔體，外觀尺寸為44"(W)x26"(L)x62"(H)； 　　等離子源：NM-ICP平面電感耦合等離子體源，帶有自動調(diào)諧器，激活面積可以達到8"； 　　處理腔體：13"的圓柱形超凈腔體，材質(zhì)為陽極電鍍鋁。晶片通過氣動頂蓋裝載，腔體帶有上載安全鎖，用戶可以通過PC控制，至多可以裝載8個小尺寸基片，可支持的晶圓尺寸為8"。腔體帶有2"的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置，提供8"區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護。 　　ICP等離子刻蝕機如有需要歡迎訪問以下網(wǎng)址與我們?nèi)〉寐?lián)系 　　http://www.nanochina17.com/NChina-Products-21723797/ 　　https://www.chem17.com/st312447/product_21723797.html

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