功率半導體特性測試系統 功率半導體特性測試系統報價 盛鉑供
IST8900功率半導體特性測試系統www.samplesci.com/product/product148.html可測試IGBT、MOSFET等12種功率半導體元件135個動、靜參數。當器件處于
導通狀態時,IST8900測量精確度可至0.1μA,高達50A,也可以借由外部電流模組,將大功率測試電流擴大
至4800A。同樣,當器件處于關閉狀態時,各項崩潰電壓測量達2.5KV,可擴展至10KV。
IST8900是一個完整且經濟的自動測試設備(ATE)系統,用于測試分立功率半導體組件,功率范圍
mW ~ kW
有135個參數,可以測試12種不同的半導體設備類型
獨立單元執行2500V和50A測試
自動校準和自測診斷
可以用外部電流/電壓模塊將測試范圍擴展至4800 A/10 KV
可接入PC、打印機或數據記錄器的USB接口
存儲和調取先前的測試程式
在測試前退回有瑕疵或錯誤的DUT
提供自動“GO/NO GO(進行/不進行)”測試或參數測量
可用于Windows 電腦的曲線繪圖儀軟件
用于大容量產生測試的處理器接口
起動安全檢查,防止對不正確的DUT和測試器連接的檢測進行測試
易用菜單驅動接口,用于生成測試程序
用晶體管、SCR或三端雙向可控硅開關元件輸出來測試光隔離器
80 μs ~ 300 μs 脈沖間隔防止了過熱或損壞
在無需使用開爾文接觸點的情況下,基于自動軟件的校準***了PCB印刷線、繼電器和連接器上的壓降。
IST 8900型 測試參數
設備類型 |
泄露電流 |
擊穿電壓 |
通路參數 |
增益 |
觸發器參數 |
鎖存器參數 |
維持參數 |
切換參數 |
雙極晶體管 |
Iceo、Ices、Icev Icbo、Iebo |
Bvceo、BVces Bvcev、BVcbo BVebo |
Vce(sat) Vbe(sat) |
hFE |
Vbe(on) |
|
|
導通 關斷時間 |
MOSFET晶體管 |
Idss、Igsr、Igsf Idsv |
BVdss |
Vds(on)、Ids(on) Rds(on)、Vsd |
gFS |
Vgs(th) Vgs(on) |
|
|
導通 關斷時間 |
IGBT |
Ices、Igsr、Igsf |
BVces |
Vce(sat)、Ic(on) Vf |
gFS |
Vge(th) Vge(on) |
|
|
導通 關斷時間 |
TRIAC |
Idrm、Irrm |
BVrrm、BVdrm |
Vtm+、Vtm- |
|
Igt 1/2/3/4 Vgt 1/2/3/4 |
|
Ih+、Ih- |
|
SCR |
Idrm、Irrm、Igko |
BVdrm、BVrrm BVgko |
Vtm |
|
Igt、Vgt |
IL |
Ih |
|
GTO |
Idrm、Irrm、Igrm |
|
Vtm |
|
Igt、Vgt |
IL |
Ih |
|
二極管 |
Ir |
BVr |
Vf、If |
|
|
|
|
|
齊納二極管 |
Ir |
BVz、BVr |
Vf |
|
|
|
|
|
J-FET |
Igss |
BVgss |
Idss、Rds(on) Vds(on) |
gFS |
|
Vgs(p) |
Id(p) |
|
校準器 |
|
|
+/-Vo、+/-Ipk +/-Isc |
|
|
+/-dV |
+/-0r、+/-Ir |
|
光隔離器 |
Irrm、Ir、Iceo Icbo、Iebo Ic(off)、Idrm |
Bvceo、BVcbo BVebo |
Vf、Ic(on)、Vce(sat)、Vtm |
CTR、hFE |
Igt |
|
Ih |
|
TVS |
Ir |
BVr |
Vbo,Ibo,dVbo |
|
|
|
|
|
IST 8900型允許在用戶給定的范圍內,通過執行256高速點對點測試步驟來生成單個或多個曲線。數據增量
可以是線性或者是對數格式。
測試結果可以通過USB端口轉移至電腦。利用包括在產品內的用于Windows電腦下的IST 8900曲線繪圖儀軟
件程式,可以顯示出下列曲線。可以將曲線繪圖儀功能應用至下列所示的參數測量中。
雙極晶體管
Ice(o,s,v) |
– |
BVce(o,s,v) |
Icbo |
– |
BVcbo |
Iebo |
– |
BVebo |
Ic |
– |
Vce(sat) |
Ic |
– |
Vbe(sat) |
Ic |
– |
hFE |
MOSFET
Idss |
– |
BVdss |
Idsv |
– |
BVdsv |
Ids |
– |
Vds (不同Vgs) |
Rds |
– |
Ids (不同Vgs) |
Rds |
– |
Vgs (Ids固定) |
Ids |
– |
Vgs (Vds固定) |
Is |
– |
Vsd |
IGBT
Ices |
– |
BVces |
If |
– |
Vf |
Ic |
– |
Vce (Vge不同) |
雙極管、齊納雙極管
Ir |
– |
BVr |
Iz |
– |
BVz |
外部模塊進行高功率半導體測試
隨著功率模塊老化,其性能會下降。對在電力切換中使用的半導體設備進行適當的測試和維護,能確保其性
能處于相當佳狀態,并能縮短設備的維修時間。通過準確地模擬實時操作條件下設備參數電流和電壓,IST
8900型分立半導體測試系統使您可以有效地鑒別出半導體設備退化的百分比。
Vce(sat.),Vds(on),Rds(on),Vf,和Vtm參數的通路測試,可以使用2400型和4800外部電流模塊。這些模
塊將IST 8900型的高功率測試能力擴展至幾千安培。每個電流模塊自身擁有電源以給內部電路供電,并且在
測試中給電池充電。8900型通過一個DB-25接口連續控制0-2400A或0-4800A的電流。
而5KV或10KV擊穿電壓和泄漏電流測量的斷態參數測試,可以用備選的外部電壓模塊來執行。
泄漏電流測量范圍
盛鉑科技(上海)有限公司www.samplesci.com成立于2013年3月,公司總部坐落于上海漕河涇新興技術開發區。公司采用
自主知識產權技術(全球首創的One-Box寬帶矢量技術)并結合引進的國際先進的測試測量產品和技術,
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用自身在數字信號處理、射頻、高速信號完整性、功率電子和半導體測試領域的專業優勢,向客戶提供
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2014年盛鉑科技自主研發的50GHz全頻帶寬帶上/下變頻器獲得上海市科委的科技創新基金項目的支持,
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