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掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM) 是一種用于高分辨率微區形貌分析的大型精密儀器,具有景深大、分辨率高、成像直觀、立體感強、放大倍數范圍寬以及待測樣品可在三維空間內進行旋轉和傾斜等特點。另外具有可測樣品種類豐富,幾乎不損傷和污染原始樣品以及可同時獲得形貌、結構、成分和結晶學信息等優點。在產品研發、失效分析及科學研究等領域都具有重要的作用。
測試設備能力參數
掃描電子顯微鏡
Scanning Electron Microscope
設備參數
掃描電鏡(SEM)
電子槍:鎢燈絲
分辨率:
3 nm @ 30kV(二次電子)
8 nm @ 3kV(二次電子)
3.5 nm @ 30kV(背散射電子)
放大倍數:2 x ~ 100,000 x (一般10,000倍以下較清晰)
加速電壓:200V ~ 30kV
探針電流:1 pA ~ 2 μA
樣品室尺寸:
內部直徑 230 mm
門寬 148 mm
能譜儀(EDS)
探測器:SSD硅漂移電制冷探頭,有效探測面積不小于20 mm2
分辨率:Mn Ka保證優于127eV
元素分析范圍:Li3~Cf98(檢出極限約0.1~0.5wt%)
掃描模式:線掃描(LineScan)和面掃描(Mapping)
配有離子濺射儀,可實現試樣噴金
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