射線檢測(cè)

利用射線（X射線、γ射線和中子射線）在介質(zhì)中傳播時(shí)的衰減特性，當(dāng)將強(qiáng)度均勻的射線從被檢件的一面注入其中時(shí)，

由于缺陷與被檢件基體材料對(duì)射線的衰減特性不同，透過(guò)被檢件后的射線強(qiáng)度將會(huì)不均勻，用膠片照相、

熒光屏直接觀測(cè)等方法在其對(duì)面檢測(cè)透過(guò)被檢件后的射線強(qiáng)度，即可判斷被檢件表面或內(nèi)部是否存在缺陷（異質(zhì)點(diǎn)）。

磁粉檢測(cè)

由于缺陷與基體材料的磁特性（磁阻）不同穿過(guò)基體的磁力線在缺陷處將產(chǎn)生彎曲并可能逸出基體表面，

形成漏磁場(chǎng)。若缺陷漏磁場(chǎng)的強(qiáng)度足以吸附磁性顆粒，則將在缺陷對(duì)應(yīng)處形成尺寸比缺陷本身更大、

對(duì)比度也更高的磁痕，從而指示缺陷的存在。

滲透檢測(cè)

利用毛細(xì)管現(xiàn)象和滲透液對(duì)缺陷內(nèi)壁的浸潤(rùn)作用，使?jié)B透液進(jìn)入缺陷中，

將多余的滲透液出去后，殘留缺陷內(nèi)的滲透液能吸附顯像劑從而形成對(duì)比度更高、

尺寸放大的缺陷顯像，有利于人眼的觀測(cè)。