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檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄

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  • 對(duì)應(yīng)法規(guī)：：IPC-TM650-2.1.1/2.25 IPC-A-610D
    CNAS認(rèn)可項(xiàng)目：是
  • 目的：電子元器件表面及內(nèi)部缺陷檢查及SMT制程改善&驗(yàn)證。 適用范圍： 適用于電子元器件結(jié)構(gòu)剖析，PCBA焊接缺陷，焊點(diǎn)上錫形態(tài)及缺陷檢測(cè)等. 使用儀器：精密切割機(jī)，鑲埋機(jī)，研磨及拋光機(jī)，金相顯微鏡，電子顯微鏡等。 測(cè)試流程：取樣 鑲埋 研磨 拋光 腐蝕 觀察拍照 常規(guī)檢驗(yàn)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)：IPC-TM650-2.1.1/2.25 IPC-A-610D 1.PCB結(jié)構(gòu)缺陷：PCB分層，孔銅斷裂等 2.PCBA焊接質(zhì)量檢測(cè)： a.BGA空焊，虛焊，孔洞，橋接，上錫面積等； b.產(chǎn)品結(jié)構(gòu)剖析：電容與PCB銅箔層數(shù)解析，LED結(jié)構(gòu)剖析，電鍍工藝分析，材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷等； c.微小尺寸量測(cè)（一般大于1um）：氣孔大小，上錫高度，銅箔厚度等。 測(cè)試報(bào)告示例： （1）測(cè)試設(shè)備： 名 稱 型 號(hào) 校準(zhǔn)有效期 金相顯微鏡 AXIO Imager. A1m 2010年09月15日 （2）環(huán)境條件：溫度：23±2℃； 濕度：55±5%RH （3）參考標(biāo)準(zhǔn)：IPC-TM 650 2.1.1 (4)測(cè)試樣品：001 (5)測(cè)試條件：樣品經(jīng)過切割、冷鑲、研磨、拋光后，用金相顯微鏡對(duì)其測(cè)試位置進(jìn)行放大觀察并拍照。 (6)測(cè)試結(jié)果： 樣品 測(cè)試位置 結(jié)果描述/上錫量 判定規(guī)格 （客戶提供） 評(píng)判結(jié)果 001-CE12 信號(hào)腳 接口潤濕良好,孔內(nèi)垂直填充高度約為57%. 爬錫高度 標(biāo)準(zhǔn)：信號(hào) 腳>75%;接 地腳>50%。 拒收 接地腳 接口潤濕良好,孔內(nèi)垂直填充高度約為36%. 拒收 001-CE55 信號(hào)腳 接口潤濕良好,孔內(nèi)垂直填充高度約為67%. 允收 接地腳 接口潤濕良好,孔內(nèi)垂直填充高度約為56%. 允收 合格率 50%
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