主要技術指標:分析室本底真空度優于3.0 x 10 (-10) mb,制備室本底真空度優于6.0 x 10 (-10) mb。樣品燈絲加熱溫度900 oC,而直接通電流加熱溫度可高于1200 oC。
功能/應用范圍:系統包括掃描隧道顯微鏡(STM)、原子力顯微鏡(AFM)和低能電子衍射(LEED)。配備快速進樣室和樣品制備室,可進行樣品加熱處理、STM針尖原位清潔處理、金屬和IV族半導體材料生長、Ar+刻蝕、表面氣體吸附等。主要應用于超高真空環境下的半導體材料表面結構、表面生長動力學、半導體表面納米結構的生長和性質等方面的研究和測試。
主要測試和研究領域:其他