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  • 集成電路及電子元器件領域 物(化) 性失效分析 PFA Decap 開封 Bare Die Extraction 取晶粒 De-layer/De-process 去層解剖 Staining-Rom Code 碼點染色 Staining-P/N 阱染色 Staining-Resistor zone 電阻染色 De-Gold Bump 去金凸塊 失效分析 PFA 精密定點及非定點研磨制樣 / 金相切片 顯微觀察分析（Lieca DM8000紫外干涉150X、Hitachi S4800 冷場發(fā)射電鏡+ EDS） 電性失效分析 EFA EMMI 微光顯微檢查 LC Hot Spot 液晶熱點偵測 OBIRCH 鐳射光束誘發(fā)阻值變化測試 Probe Station 探針應用 FIB聚焦離子束應用 微線路修改 測試鍵生成 Cross-Section VC 精密切割及加工 無損偵測 X-Ray + 3D CT（三維斷層掃描技術） C-SAM 掃描超聲波 芯片逆向工程及工藝評估 成功的正向設計需要隨時更新已有設計思路，糾正設計缺陷。反向設計作為一種輔助工具，可以幫助電路設計工程師在短時間里積累足夠多的設計經(jīng)驗并開發(fā)適合自身設計水平的工藝參數(shù)，有效規(guī)避風險、提高效率。也可幫助設計公司提升產(chǎn)品競爭力，或為保護自主產(chǎn)品知識產(chǎn)權提供有效證據(jù)。 靜電放電/閂鎖效應測試 ESD-HBM 人體模式 ESD-MM 機器放電模式 ESD-CDM 充電元器件模式 Latch-Up 閂鎖效應測試 材料分析 AES 俄歇電子能譜儀應用 AFM 原子力顯微鏡應用 EELS 電子能量損失分析儀應用 FT-IR 傅立葉紅外顯微鏡應用 SEM/EDS 掃描電子顯微鏡/X射線能譜儀應用 SIMS 二次離子能譜儀（特殊定點/非定點制樣、元素分析） TEM 透射電鏡（定點/非定點制樣及上機觀察） TOF-SIMS 飛行時間二次離子質譜應用 XPS X射線光電子能譜儀應用 可靠性測試 靜態(tài)環(huán)境可靠性測試… 動態(tài)環(huán)境可靠性試驗… 機械應力可靠性試驗…
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